深耕射频芯片行业 豪威集团助力 5G 时代“中国芯”

过去十几年中，我国的通讯产业经历了从 2G 到 3G，再由 3G 到 4G 的更新迭代。2019 年，三大运营商公布 5G 商用套餐，正式标志着中国开始进入 5G 商用时代。5G 时代的到来，不仅大幅提升了通讯速率和效率，促进了数字经济的蓬勃发展及硬件设备的换代升级，也对信号传输提出了更高要求。

在无线通讯行业，射频芯片被称为模拟芯片领域“皇冠上的明珠”，在信号传输过程中扮演着十分重要的角色。其作为无线连接的核心，能够将射频信号和数字信号进行转化，因此凡是接入移动互联网的设备均需要射频前端芯片。具体而言，射频芯片包括低噪声放大器（ LNA ）、射频开关（ RF Switch ）、 功率放大器（ PA ）、滤波器（ Filter ）等多种器件。

伴随着通信产业的跨越式发展，射频器件作为无线通讯不可缺少的基础一环，市场需求量也在不断提升，据 Yole Development 的数据显示，2018 年全球移动终端射频前端市场规模为 150 亿美元，而预计到 2025 年有望达到 258 亿美元[1]。面对快速增长的市场需求及我国 5G 技术的高速发展，实现射频芯片本土化替代的需求不断加快，这也为我国射频产业链企业的发展提供了良好的机遇。 

作为中国领先的模拟与分立半导体设计公司，豪威集团旗下韦尔半导体一直致力于高性能射频器件的研发，持续引领射频新技术发展，尤其在低噪放（ LNA ）、射频开关（ RF Switch ）、天线调谐器（ Tuner ）领域，已打造出成熟的产品布局。其射频产品依靠新设计、新工艺和新材料的结合，突破了传统的设计思路，为无线通信领域多元化的产品提供创新动力。

在射频器件中，射频开关（ RF Switch ）可用于实现射频信号接收与发射的切换及不同频段间的切换。随着 5G 商业化落地，不同频段信号接收、发射的需求量不断增大，对射频开关的要求也随之增加。韦尔半导体最新推出了 HWS7804LMA、VWS7802LA、VWS7822LE 三款 5G 射频开关器件，具有低插入损耗，高端口隔离度的特性，可支持高频 6GHz 应用，即使远隔千山万水，也能保障良好的信号发射和接收效果。

HWS7804LMA

HWS7804LMA 采用 RF CMOS 绝缘体上硅（ SOI ）技术，是一颗大功率 MIPI 控制的单刀四掷开关，适用 0.1G-6GHZ 的宽带射频范围，并针对高性能 GSM、CDMA、WCDMA、LTE 和 5G NR 应用进行了优化，具有低导通电阻、低关断电容和高功率承受能力的特性。该射频开关设置 RFFE2.1 控制接口，并采用 1.1mm×1.1mm 9 引脚进行封装，无需再外加隔直电容。凭借低功耗及小封装的优势，HWS7804LMA 可广泛应用于手机、蜂窝调制解调器和 USB 设备及多模 GSM、EDEG、WCDMA、LTE 和 5G NR 应用中。

VWS7802LA

VWS7802LA 是一款高功率的单刀双掷开关，对 5G NR 高功率、高线性度进行了优化，可广泛应用于 5G 射频前端。

VWS7822LE

VWS7822LE 则是一款具有优质线性度的双刀双掷转换开关，其优质的线性度和谐波性能非常适合多模 GSM、EDGE、UMTS 和 LTE 手机应用。在产品设计方面，VWS7822LE 采用 1.5mmx1.1mm 10pin 的紧凑封装尺寸，可在 1.4V-4.2V 的供电电压范围内工作，适用于多元化平台和产品形态，帮助设计人员将其快速集成到多模多频段系统中，大大满足市场对射频开关复杂功能的需求。

除上述三款全新产品外， 韦尔半导体还拥有几乎全系列 LTE 分立接收开关。其中 WS7810QM （单刀十掷）和 WS7812QD （双刀 12 掷）均采用 MIPI 控制，可使射频前端达到最优布局，具有低插损、高隔离、高线性度等特点，支持到 3.8GHz 高频应用，并具有大量量产经验，封装可靠性得到有效保证。两款产品均为手机、蜂窝通讯模块、数据卡等应用场景设计。

此外，韦尔半导体还在 2019 年分别推出了 WS7854QA 及 WS7872DA 两款产品。

WS7854QA 是一款带 ESD 防护的单刀四掷开关，针对 3G/4G 射频路径和分集应用进行了优化，并具有高线性度、低插入损耗的优势，其工作频率可高达 3GHz，可满足 LTE TRx 的中功率需求，已被广泛应用于 WCDMA/LTE 手机和数据卡应用中，可为手机、平板电脑等移动设备提供更长的续航时间。在产品封装上， WS7854QA 则采用 1.1x1.1 mm² 紧凑型四方扁平无引线（ QFN ）封装结构，消除了侧向突出于封装之外的耗费空间大的外部引线，有效改善封装时连接可靠性。

WS7872DA 则属于单刀双掷（ SPDT ）开关。该产品工作频率可高达 6GHz ， 并具有高线性度、较低的插入损耗、开关切换时间快等优势。WS7872DA 采用 1.0 x 1.0 mm² 紧凑型双扁平无引线（ DFN ）封装结构，且功耗极低，是 802.11 a/b/g/ 等 WLAN 应用的理想选择。

除射频开关产品外，韦尔半导体还拥有一系列低噪音放大器（ LNA ）产品。区别于控制信号通道转换作用的射频开关，低噪声放大器（ LNA ）则可将接收到的微弱射频信号放大，并尽量降低噪声的引入，以实现良好的信噪比。WS7932DE  是韦尔半导体研发的第 3 代 LTE LNA 产品，采用 COMS 工艺实现了 18dB 的高增益，有效提升了系统接收灵敏度，并凭借 0.8dB 的低噪声系数，大大提高了输出信噪比。同时， WS7932DE 采用了业界通用的 1.1mm X 0.7mm 小尺寸封装，与主流型号兼容，方便调试替换，既为产品设计节省了宝贵的内部空间，又利于加速产品上市速度。

如今，人们已逐渐认识到“中国芯”替代在科技竞争中的重要作用，随着 5G 技术及通讯产业的跨越式发展，射频器件的重要性也愈发凸显。韦尔半导体凭借前瞻的技术研发、基于十余年技术积累和自主的技术架构工艺创新，已自行研发出可广泛覆盖手机和通讯模块市场、 WiFi 路由器市场和通讯基站市场的射频前端解决方案。面向 5G 时代，韦尔半导体也将持续专注于技术革新，推动“中国芯”从跟随到主导，从国产替代到齐头并进，携手行业共同发力 5G 在中国乃至全球的发展。