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芯片荒成卖方市场 四大晶圆代工厂“超急件”拼扩产

来源:经济日报

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02-18 05:50

近期芯片全面大缺货,四大晶圆代工厂台积电、三星、联电、格芯不约而同进行扩产。台积电、三星与格芯更先后拍板美国投资的专案,积极服务当地客户需求,资本支出竞赛已白热化。

此次芯片大缺货是先从车用芯片吃紧开始,导火线来自去年第2季开始IDM(整合元件制造)大厂过度削减库存,如今供需失衡已让车用电子大厂跳脚,为避免出货断链,先后向晶圆代工大厂求援。

业界形容,「这次各大厂都努力挤出产能、用超急件方式来支援车用,估计第2季中旬应可舒缓供需问题,不过从成熟制程而言,多少排挤掉部分电视面板应用所需驱动IC芯片。」

业界也观察,车用需求多数采8英寸成熟制程,所需晶圆片数还是跟手机差蛮多,不过因为电源管理IC也陆续从6英寸转移到8英寸晶圆代工投片,使8英寸产能供不应求,晶圆代工厂虽鼓励一些8英寸客人陆续转12英寸晶圆投片,让12英寸产线也先后爆满生产,各大厂在被订单追着跑的情况下,扩产成当务之急。

台积电、联电资本支出年增皆逾45%

台积电虽没有说明扩产幅度,不过在上季法说会上已提到今年资本支出将达250至280亿美元,年增超过45%,创历史新高。业界认为,台积电资本支出大举拉高,反映先进制程供不应求的扩大扩产。机构分析师估计,台积电今年先进制程扩产幅度超过二成,主要集中在5纳米与7纳米。

由于晶圆代工供不应求,联电也对今年第一季展望乐观,预期晶圆出货季增2%,晶圆平均美元价格提升2-3%,产能利用率达满载,今年资本支出和去年10亿美元相比,更是大增5成至15亿美元,主要用在先进制程。据悉,其中15%用于8英寸产能、85%用于12 英寸,主要以28 纳米产能扩充为主。

联电共同总经理王石在法说会上表示,今年整体产能将成长3%,其中,8英寸产能因无尘室空间不足,仅能透过去瓶颈、产能优化等方式提高产能,因此产能仅增加1 %,12英寸产能则将成长5%。

展望晶圆代工产业,王石分析,疫情导致笔电等宅经济需求大好,并使得4G转换至5G的脚步加快,相关行动装置对IC用量大增,加上车用市场回温,这些动能推升14纳米以上晶圆代工成熟制程供不应求,正式进入「卖方市场」,产能至少一路缺到明年。

三星布局5纳米以下制程 资本支出也飙高

三星14纳米以下制程产能满载,今年资本支出重心摆在先进制程所需。依集团计划,今年包含DRAM等半导体领域的投资约312亿美元,也将创下新高。

往年三星DRAM与晶圆代工相关资本支出在半导体部份占比约85%,市场推估,若仅晶圆代工投资今年占比约4成计算,也超过百亿美元,主要是5纳米以下EUV设备购买所需。

拼抢美国订单 台积、三星专案投资同破百亿美元

芯片缺货带来的商机促使晶圆代工大厂加速投资扩产,各厂也瞄准美国因为国安考量带来的新商机,台积电、三星都先后启动美国专案计划,九年至十年期的专案投资都超过百亿美元。

台积电规画美国第二个生产基地位于亚利桑那州12英寸厂生产5纳米,2024年开出产能、月产2万片,2021至2029年专案投资约120亿美元。

在台积电后,三星也火速敲定投资专案并向德州提出申请扩产专案,拟在德州奥斯汀投资规画约170亿美元,并计划最快今年第2季动工,也计划比台积电提早一季开出先进制程产能,规画2023年下半年投产。

依三星向德州提出的规画文件资讯,业界分析,推估该新厂制程也会是5纳米以下的先进制程生产,外传最大月产能达7万片。

不过,三星也在提供给德州官方文件说,因为产业竞争激烈,也在亚利桑那州、纽约州等美国其他地点寻找适合的区域,进而加速芯片生态系统制造速度。

格芯美国购地扩产 瞄准美国国防部新供应协议

在台积电、三星之后,格芯也宣布美国的购地之后的扩建新计划。格芯宣布和美国国防部建立战略合作关系,计划在新的供应协议下,由美国纽约州Fab 8厂区购地扩建并完成认证后,2023年开始出货首批国防专用芯片,主要采用45纳米制程平台协助相关生产。

格芯过去和美国国防部合作已久,包含在旗下美国佛州Fab 9与纽约的10厂区生产其他地面设施所需芯片,此次合作协议扩及至国防、航太与其他敏感应用芯片所需。

而依据美国国防部声明,和格芯的协议是最近参议院多数党支持的《美国CHIPS法案》的初步进展,该法案主要是支持与加强美国国防供应链半导体芯片的制造能力。

格芯是在2020年6月22日宣布将在美国纽约州马耳他镇购地,该地区邻近Fab 8厂,该地价格依据市场价格并由独立机构评定购买价格。格芯统计,过去已在Fab 8厂区先后投资超过130亿美元。

爱集微

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