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有望2021年中实现全面投产,湖南三安半导体项目一期Ⅰ标段全面封顶

来源:爱集微

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01-19 16:23

集微网消息,据长沙晚报报道,2021年1月19日,湖南三安半导体项目最大单体M2B芯片厂房顺利完成封顶,此次封顶标志着这座湖南省境内的首个第三代半导体产业园项目(一期)Ⅰ标段完成全面封顶,预计该项目在2021年中有望实现全面投产

图片来源:长沙晚报

据了解,该项目分两期建设,当前项目一期主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设,项目全面建成投产后将形成两条并行的碳化硅研发、生产全产业链产线,产品为高质量、低成本、高稳定性碳化硅衬底及各类器件,可广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线(5G)通讯等。

据集微网此前消息显示,2020年12月,湖南三安半导体项目(一期)Ⅰ标段溅度厂房实现主体结构封顶。

据悉,长沙三安第三代半导体项目,总占地面积1000亩、投资160亿元,主要建设具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地,项目建成达产后将形成超百亿元的产业规模,并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元。

2020年7月20日,长沙三安第三代半导体项目开工活动在长沙高新区举行。(校对/若冰)

责编: 小北

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