性能超同尺寸硅基器件，我国学者制备高密度高纯半导体阵列碳纳米管材料

集微网消息，北大信息科学技术学院消息，近日，北京大学信息科学技术学院电子学系/北京大学碳基电子学研究中心、纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇教授-彭练矛教授课题组发展全新的提纯和自组装方法，制备高密度高纯半导体阵列碳纳米管材料，并在此基础上首次实现了性能超越同等栅长硅基CMOS技术的晶体管和电路，展现出碳管电子学的优势。

图片来源：北大信息科学技术学院消息

该课题组采用多次聚合物分散和提纯技术得到超高纯度碳管溶液，并结合维度限制自排列法，在4英寸基底上制备出密度为120 /μm、半导体纯度高达99.99995%、直径分布在1.45±0.23 nm的碳管阵列，从而达到超大规模碳管集成电路的需求。

据悉，该项工作突破了长期以来阻碍碳管电子学发展的瓶颈，首次在实验上显示出碳管器件和集成电路较传统技术的性能优势，为推进碳基集成电路的实用化发展奠定了基础。

5月22日，相关研究成果于《科学》发表。同时，上述研究也得到国家重点研发计划“纳米科技”重点专项、北京市科技计划、国家自然科学基金等资助。（校对/小如）