华邦电 明年资本支出不到30亿

　华邦电子（2344）昨（16）日召开董事会，决议核准明后两年资本支出预算，估计明年约29.38亿元、后年仅9.36亿元，合计38.74亿元，用以扩充46奈米DRAM及58奈米NOR快闪记忆体产能。华邦表示，目前中科12寸厂月产能约3.7万片，短期不会再增加新产能，但要冲刺制程微缩增加产量。

    　华邦朝「轻投资、高利润」策略发展，昨日董事会中通过未来两年资本支出合计38.74亿元，算是已公布明年资本支出的本土记忆体晶片厂中，投资金额最小的业者。华邦并没有扩充产能计划，而是要利用制程微缩，达到单片晶圆切割出更多颗粒，来增加记忆体产量并降低单位生产成本。

    　华邦转型发展非标准型记忆体，主要是与日本尔必达合作。华邦目前主力制程为65奈米，明年将导入尔必达46奈米制程生产2Gb DDR3，等良率到达一定水准后，就会转向生产256Mb以上非标准型DRAM，其中包括了绘图卡用GDDR产品。至于NOR快闪记忆体部份，预估主流制程将由现在的90奈米，至明年提升至58奈米。

    　华邦因为产品线多以利基型为主，所以近来标准型DRAM价格大跌，华邦受伤情况较轻，11月合并营收31.69亿元，较10月小增0.3％，更是本土记忆体晶片厂中少数逆势成长的公司之一。

    　华邦现在非标准型记忆体比重已大于95％，今年第3季每股净利达0.96元，第4季目前看来仍可维持获利。