瑞晶明年资本支出缩水至40亿元

台日合资的DRAM大厂瑞晶宣布2011年资本支出仅新台币40亿元，相较于2010年的资本支出大幅缩水近70%，瑞晶指出，2011年暂订转进旗下4万片产能到30奈米制程，再观察景气和报价状况决定是否追加；此外，瑞晶也将在12月底前将旗下8万片12吋晶圆产能都转进45奈米制程，预计2Gb晶片到2011年2月起可大量产出，持续将成本压低至1.5~1.6美元，力抗DDR3报价下跌。

瑞晶13日召开董事会，一并通过2010年资本支出的追加案，和2011年的资本支出预算，以及与尔必达(Elpida)签订45奈米技术合约；其中在2010年资本支出方面，原本瑞晶规划的资本支出为新台币120亿元，追加至128亿元，主要花费都集中在转进45奈米制程的研发和机器设备采购上。

瑞晶预计2011年的资本支出为新台币40亿元，相较于2010年新台币128亿元的费用，缩水将近70%，其中的30亿元资本支出是用在将旗下12吋晶圆厂中的4万片产能转进30奈米制程，另外是研发费用约占9亿元，剩下为其他支出。

瑞晶2011年资本支出大幅缩水，主要是因为转进45／30奈米制程需要的浸润式微米曝光机台(Immersion Scanner)的采购都在2010年完成，目前手上已有5台浸润式微米曝光机台，会是台湾DRAM厂中! 最快转进40奈米制程的业者。

瑞晶表示，2011年仅暂订转进4万片产能到30奈米制程，主要是要视DRAM产业景气和价格的走势，才会决定是否扩大转进数量，以利手上资金做最好的应用；再者，30奈米制程与45奈米制程相较，每片晶圆数量预计可再增加35%。

事实上，瑞晶45奈米制程进度大幅提前，预计2010年12月底之前即可100%转进45奈米制程，目前瑞晶12吋晶圆厂产能约8万片，12月上旬45奈米制程投片量已达6万片，预计下旬可以8万片100%投入。

值得注意的是，瑞晶12月100%投入8万片45奈米制程，预计全产出时程会是2011年2月，届时瑞晶2Gb晶片成本可由目前的1.8~2美元降低至1.5~1.6美元，不但可力抗报价跌势，更可拉大获利空间。

近期DDR3价格开始止稳，虽然2Gb DDR3低价有到1.8美元，但平均报价仍维持在2美元附近；不过12月上旬合约价仍是反映现货价格，持续扩大下跌9~11%，也反应部分系统客户不愿意在年底盘点前备货。

业者认为，DDR3报价经过数月的巨幅下跌，寄望能逐步开始止跌回稳，衔接2011年农历过年前的补货潮，届时可缓和台= DRAM厂的营运和资金压力。