挑战IBM领导地位 Soitec开发出SOI工艺

法国的半导体工艺正在挑战IBM在晶圆技术上的领导地位。
 　　
    二十年前,SOI(绝缘体硅)还是一项专门技术为军事和航天应用的技术。
　　
    两法国研究所日前宣布，已开发出低风险的SOI技术，并且正在商业化运作中，并且成立了Soitec公司。该技术可将绝缘层导入至标准CMOS晶圆中，具体实现方法是将硅片背面切割成一个光滑面，然后将两块晶圆粘合，中间层则为绝缘体，类似于汉堡包结构。该技术对于所有SOI晶圆来说，具有重大意义。
 　　　　　　　　
    IBM的竞争对手
　　
    目前Soitec已发展成为能够与IBM并前匹敌的公司，其技术路线选择了在CMOM上制作全耗尽型晶体管，其指出全耗尽型（FD fully depleted）晶体管在22nm SOI上具有最高效率。
 　　
    CEA-Leti（法国原子能委员旗下的电子信息技术研究所）研发了High-K/金属栅技术用于SOI技术，并且也发布了商业芯片用的设计及模拟EDA软件。
 　　
    潜在的FDSOI技术可以替代传统的20nm及以下的工艺技术。