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三星计划量产3纳米GAA尖端芯片,SK海力士推进EUV DRAM生产时程

小山·09-18 11:24·IC  来源: 爱集微

集微网消息(文/小山),据韩媒etnews报道,在“Tech Week 2020 LIVE”活动上,三星电子和SK海力士宣布了各自关于下一代半导体技术的发展战略。其中,三星电子计划量产业界首批采用3纳米环绕式栈极(gate-all-around,简称GAA)工艺制造的尖端芯片;SK海力士则正准备生产基于极紫外光刻 (EUV)技术的DRAM。

三星电子表示,该公司计划通过IBM和英伟达的下一代CPU和GPU的订单,在全球代工市场上利用GAA技术开拓下一代产品市场。

三星代工的执行董事Kang Moon-soo称,“我们计划大规模生产行业第一批基于GAA技术的半导体”。

韩媒指出,截至目前,三星电子和台积电是业界仅有的开始开发GAA工艺的两家公司。

这也意味着,如果三星电子能够在量产时程上超越台积电,三星将能够抓住机遇,甚至在全球代工市场上领先台积电。

(图源:韩联社)

而SK海力士也将很快量产基于EUV工艺的DRAM。SK海力士未来技术研究所负责人Lim Chang-moon表示,“我们计划从第4代10nm (1a) DRAM开始应用EUV工艺。同时我们计划明年初开始大规模生产”。

数据显示,全球DRAM市场约94%的份额分别由三星、SK海力士和美光垄断,两家韩国公司约占74%的市场份额。

因而,若GAA和EUV DRAM成功落地商业化,韩国半导体产业的地位将进一步提升。同时,报道指出,EUV DRAM将能进一步扩大韩国半导体企业与中国半导体企业之间的差距。鉴于EUV设备的昂贵成本以及有限的供应量,韩国企业将更有别于中国企业。

(校对/零叁)

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