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2029年推出1.4nm工艺?英特尔10年工艺路线图曝光

Oliver·2019-12-11·IC  来源: 爱集微

集微网消息(文/Oliver),12月11日,据AnandTech、WikiChip报道,在近期的IEEE国际电子设备会议(IEDM)上, ASML公布了一张合作伙伴英特尔的工艺路线图,路线图显示英特尔将在接下来的10年内每2年推出一种新制程,2029年将推出的是1.4nm节点。

ASML发言人表示,英特尔曾在今年9月的光刻会议上展示了这张工艺路线图。10月份,英特尔宣布将工艺迭代周期恢复至两年到两年半的节奏,并对5nm节点充满信心。

根据集微网此前报道,英特尔的10nm今年终于亮相,升级版10nm+也声称将用于新产品Tiger Lake当中。虽然10nm这张路线图中10nm节点被标注在2019年的下方,随后每隔两年将分别推出7nm、5nm、3nm、2nm、1.4nm。另外,每一代工艺还将在推出之后的两年中推出2代升级版,以便从每个节点中可以提取尽可能多的优化性能。不过2019年的10nm将在2020年推出的是10nm++工艺,2021年则推出10nm+++。或许,英特尔会将之前已经宣布的节点重新命名为10nm+工艺。

值得一提的是,英特尔的这张路线图还提到了在旧工艺的升级版本中进行“反向移植”( Backport)带来的机会。包括可以将7nm产品反向移植到10nm+++,可以将5nm产品反向移植到7nm++,可以将3nm产品反向移植到3nm++,而可以将2nm产品反向移植到3nm ++。不过,对于1.4nm节点没有提到反向移植。

事实上,“反向移植”并不是新传闻,此前就有消息指出,英特尔准备将10nm++产品回退到使用14nm+++工艺。

如果英特尔的这张路线图能够被很好的遵循,那么摩尔定律至少还能延续十年。1.4nm节点可能具有每平方毫米16亿个晶体管的密度。尽管最终产品的密度通常低于理论上的可能,但这种密度使英特尔能够在单平方毫米中放入与2014年推出的14nm芯片Broadwell一样多的晶体管。

英特尔在过去几年中10nm连年跳票,工艺演进速度饱受诟病。最新的路线图展现出了英特尔对于未来持以乐观的态度,同时也体现出英特尔对待半导体制造工艺的专注和对摩尔定律的信心。

据tomshardware报道,在今天的投资者会议上,英特尔首席工程官Murthy 重申 5nm已进入开发阶段,并有望在2023年顺利推出。

理想很丰满,英特尔的这张路线图描绘了十分美好的工艺迭代愿景,但需要注意的是,如同多米诺骨牌一样,一旦英特尔在其中某一个节点遇阻,那么之后节点的推出时间也会一一顺延。

(校对/holly)

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