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紫光建DRAM厂 加速布局内存版图,这让台厂有点担心

小山·08-29 15:29·IC  来源: 爱集微

(集微网消息/小山)8月27日,紫光集团宣布,将投建一座专注于12英寸DRAM存储芯片制造的工厂,该工厂将于今年年底开工,预计2021年建成投产。中国台经院研究员对此表示,大陆积极补足内存版图上的空白,但中国台湾地区恐面临人才的流失。

据经济日报报道,中国台湾经济研究院研究员暨产业顾问刘佩真表示,大陆跨足内存领域,实现在储存市场技术及产品的自主可控性,中长期来说将在内存供需及竞争层面上增加变量,然短期仍有两道门坎有待突破。而这对中国台湾地区来说,可能将导致人才流失。

刘佩真指出,大陆积极补足内存版图上的空白,早在2014年就开始逐步推动,随着中美贸易战的延烧,更快加速在内存领域上的布局是必然的趋势,目的在实现使储存领域的技术及产品更加具有自主可控性。

她说,中长期来说,紫光投入技术垄断、国际三大厂市场垄断、产能投资巨大、且周期性波动剧烈的全球性内存行业,将增加内存供需及竞争层面上的变量。

不过,短期来看,紫光集团投建DRAM厂仍有相当的门坎要突破,刘佩真表示,在DRAM领域,国际大厂早就在全球布局绵密的专利网,加上大陆海外收购资产及人才的管道遭到阻绝,在缺乏技术专利及人才短缺下,短期中切入DRAM的困难度比NAND还要大。

刘佩真补充说,福建晋华与联电的合作案,因美光而停摆就是一个例子;她认为,大陆要在短期内跨入DRAM,难度很高;不过,大陆本来就积极要补足内存的空白版图,紫光集团担当其中要角,自然是必须拿出动作来。

但同时,刘佩真还表示,对此中国台湾则有一大担心,就是在人才的这一块,陆厂来台“挖角”的动作从来没有停止过,从IC设计、内存、晶圆代工,台湾的高端人才不断的流失,由于大陆的人才缺口相当大,未来台厂的这个威胁并不会停止,台厂要思考,如何留住内存的关键人才。 

报道指出,在半导体、内存领域,中芯国际、紫光等集团不断从台厂“挖角”,包括出任紫光集团DRAM事业群CEO的高启全,出任武汉新芯总经理兼首席执行官的联电前副董事长孙世伟;中芯国际则是先后挖角台积电前共同COO蒋尚义、前研发处长杨光磊。(校对/Jurnan)

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编辑:团团
责编: Aki

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